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碳酸钙基导电复合粉体的制备与性能 (二)

2017-10-30 10:584050中国知网
碳酸钙基导电复合粉体的制备与性能 (二)
赵 兴,廖其龙,王 辅,刘来宝,余洪滔
(西南科技大学 材料科学与工程学院,四川 绵阳 621010)

2.2 元素分析

      图 4 为 Ca CO3-Si O2-PANI (Ca CO3-Si O2与 An 质量比为 2:1) 导电复合粉体的 SEM 图像及元素分布图。复合物中存在 N、Si 和 Ca 这 3 种元素。N 元素来源于 Ca CO3-Si O2表面的聚苯胺分子链;Si 元素来源于 Ca CO3-Si O2中的 Si O2包覆层;而 Ca 元素可能来源于硫酸钙或碳酸钙。结合 SEM 图像,未发现产物中有棒状的硫酸钙存在,因此 Ca 元素来源于碳酸钙,即聚苯胺包覆层下存在碳酸钙,由此推知 Ca CO3-Si O2被聚苯胺成功包覆。
2.3 物相分析

      图 5 为碳酸钙、Ca CO3-Si O2、纯聚苯胺和 Ca CO3-Si O2-PANI 复合物的 XRD 图谱。碳酸钙在 2θ=23.0、29.4、36.0、39.4、43.1、47.5、48.5、56.4、57.5° 出 现 衍 射峰,分别对应于 (012)、(104)、(110)、(113)、(202)、(018)、(116)、(211)、(122)晶面,说明该碳酸钙的晶型为方解石型[8]。Ca CO3-Si O2复合粒子的衍射图谱中,其衍射峰位置与方解石碳酸钙一致,说明 Si O2包覆不会改变碳酸钙的晶型。纯聚苯胺在 2θ 为 20.5°、25.2°处出现了较强衍射峰,说明聚苯胺具有一定的结晶度。Ca CO3-Si O2-PANI 导电复合粉体的衍射图谱与碳酸钙大致相同,说明聚苯胺包覆在 Ca CO3-Si O2复合粒子表面不会改变碳酸钙的晶型。此外,从图 5 中还可以看出,当 m(Ca CO3-Si O2):m(An)增大至 3:1 时,Ca CO3-Si O2-PANI 导电复合粉体在 2θ=25.5°处出现了一个新的衍射峰,该峰为硫酸钙的特征峰,说明当Ca CO3-Si O2加入量过多时,会导致复合粉体制备过程中生成硫酸钙。

2.4 电导率分析

      表 1 列出了碳酸钙、Ca CO3-Si O2、纯聚苯胺和Ca CO3-Si O2-PANI 导电复合粉体的电导率。碳酸钙和Ca CO3-Si O2的电导率在 10-7 S•cm-1 以下,超出仪器测量范围。纯聚苯胺的电导率为 3.8×10-1 S•cm-1。Ca CO3-Si O2-PANI 的电导率数量级在 10-3~10-2 S•cm-1,比碳酸钙和 Ca CO3-Si O2的电导率提高了 4~5 个数量级。原因是 Ca CO3-Si O2与聚苯胺复合后,表面包覆了一层导电聚苯胺,形成了新的导电网络,从而使得整个复合产物的电导率得到提高。从表中还可以看出,随着 m(Ca CO3-Si O2):m(An)增大,导电复合粉体电导率逐渐减小。m(Ca CO3-Si O2):m(An)从2:1 增大至 3:1 时,复合物电导率减小了一个数量级。分析其原因为,Ca CO3-Si O2加入量过多时,一部分碳酸钙被溶液中的 H+分解,导致溶液中 H+量减少,使得 Ca CO3-Si O2-PANI 复合物中聚苯胺分子链掺杂度降低,电导率减小。

      图 6 所示为真空环境、升温速率为 1 ℃/min的条件下,Ca CO3- Si O2- PANI(Ca CO3- Si O2与 An 质量比为 2:1)导电复合粉体的电阻率随温度的变化曲线。在 30~200 ℃范围内,随着温度的升高,电阻率缓慢地增大。在此温度范围内,当温度逐渐升高时,聚苯胺逐渐软化,其分子链无序程度增加,因此阻碍了聚苯胺的导电通路,导致电导率减小,电阻率增大。当温度超过 200 ℃时,电阻率急剧增大,呈现出直线上升的趋势。
      分析上述现象产生的原因是:当温度超过 200 ℃时,聚苯胺分子链中的掺杂酸(HCl)挥发,聚苯胺掺杂度迅速降低,导致其电导率减小,电阻率增大。当掺杂酸完全挥发后,聚苯胺由导体突变为绝缘体,电阻率无限大。
2.5 热重分析

      在氮气气氛和升温速率为 10 ℃/min 的条件下,对 Ca CO3-Si O2-PANI (Ca CO3- Si O2与 An 质量比为2:1) 导电复合粉体进行热重分析,结果如图 7 所示。Ca CO3-Si O2-PANI 有 4 个失质量阶段,第 1 个失质量阶段发生在 30~120 ℃之间,主要为粉体表面吸附水的挥发;第 2 个失质量阶段在 250 ℃左右,失质量来自于表层聚苯胺分子链中掺杂酸 (HCl) 的挥发;在650~800 ℃范围内的失质量主要来自于导电复合粉体中聚苯胺的分解[9];在 800~850 ℃的失质量主要是由于碳酸钙分解放出 CO2引起;此外,在该温度范围,包覆界面处 Si O2与碳酸钙发生反应生成 Ca Si O3(反应式3)和 Ca2Si O4(反应式 4)[10-11],同时放出 CO2,也在一定程度上引起质量损失。

3 结论

      以 TEOS 对碳酸钙进行 Si O2包覆改性后,可使其在弱酸性环境下稳定存在。以制得 Ca CO3-Si O2为基质,通过原位聚合法在其表面包覆一层导电聚苯胺,制 备 出 Ca CO3-Si O2-PANI 导 电 复 合 粉 体 。 随 着(Ca CO3-Si O2)与 An 质量比的增加,导电复合粉体电导率逐渐减小,其形貌发生变化。当 m(Ca CO3-Si O2):m(An)增大至 3:1 时,导电粉体复合制备过程中会生成硫酸钙。该导电复合粉体在温度 200 ℃以下具有良好的耐热性和较高的电导率,在导电涂料领域具有较为广阔的应用前景。


来源:中国知网 
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碳酸钙基导电复合粉体的制备与性能(一)
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